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  • 吉順芯

    廈門吉順芯微電子有限公司

    存續(xù)
    • 地址:廈門市集美北部工業(yè)區(qū)環(huán)珠路501號
    • 簡介:-
    • 商標信息 5
    • 專利信息 9
    • 軟件著作權 0
    • 作品著作權 0
    • 網(wǎng)站備案 1

    商標信息5

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 吉順芯 09類-科學儀器 53185042 等待實質(zhì)審查 2021-01-21 查看
    2 JSMC 09類-科學儀器 53179218 等待實質(zhì)審查 2021-01-21 查看
    3 JSSC 09類-科學儀器 53171042 等待實質(zhì)審查 2021-01-21 查看
    4 JSSC 09類-科學儀器 50289250 初審公告 2020-10-10 查看
    5 JSMC 09類-科學儀器 50279976 初審公告 2020-10-10 查看

    專利信息9

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開(公告)號 公布日期
    1 一種具有提高接觸面積的平面肖特基整流器件及制造方法 發(fā)明專利 CN202110625970.0 CN113314618A 2021-08-27
    2 一種具有低漏電高穩(wěn)定性的溝槽型SGT-MOS器件制造方法 發(fā)明專利 CN202110475043.5 CN113224151A 2021-08-06
    3 具有雙層外延結構的Trench MOS肖特基整流器件及制造方法 發(fā)明專利 CN202110460839.3 CN113066856A 2021-07-02
    4 一種具有錯位排列的超結P區(qū)的高壓MOSFET 實用新型 CN201621048771.9 CN206250204U 2017-06-13
    5 一種N溝埋柵SITH型的ESD保護器件 實用新型 CN201620745547.9 CN206098396U 2017-04-12
    6 一種肖特基pn結集成器件 實用新型 CN201620750249.9 CN205881913U 2017-01-11
    7 一種具有雙門極的雙波狀基區(qū)GCT器件 實用新型 CN201620749835.1 CN205881908U 2017-01-11
    8 具有深槽和T?POLY結構的溝槽型MOS肖特基整流器及制造方法 發(fā)明專利 CN201610801864.2 CN106328690A 2017-01-11
    9 一種具有錯位排列的超結P區(qū)的高壓MOSFET及其制造方法 發(fā)明專利 CN201610816169.3 CN106206742A 2016-12-07

    軟件著作權0

    暫無信息 暫無軟件著作權

    作品著作權0

    暫無信息 暫無作品著作權

    網(wǎng)站備案1

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 廈門吉順芯微電子有限公司 www.xmjsmc.com 閩ICP備17034328號 企業(yè) 2020-09-17
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