一種N溝埋柵SITH型的ESD保護(hù)器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201620745547.9 申請日 -
公開（公告）號 CN206098396U 公開（公告）日 2017-04-12
申請公布號 CN206098396U 申請公布日 2017-04-12
分類號 H01L29/739(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高秀秀;陳利;張軍亮;高耿輝 申請（專利權(quán)）人 廈門吉順芯微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 361000 福建省廈門市集美北部工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種N溝埋柵SITH型的ESD保護(hù)器件，包括透明陰極N+區(qū)、外延N?區(qū)、埋柵PBL區(qū)、襯底N?區(qū)、透明陽極P+區(qū)，埋柵PBL區(qū)位于外延N?區(qū)和襯底N?區(qū)之間，外延N?區(qū)和襯底N?區(qū)都與埋柵PBL區(qū)相連，透明陰極N+區(qū)與襯底N?區(qū)相連，透明陽極P+區(qū)與外延N?區(qū)相連，透明陽極P+區(qū)引出A極，埋柵PBL區(qū)的兩側(cè)都引出G極，透明陰極N+區(qū)引出K極。本實(shí)用新型在關(guān)閉狀態(tài)時，漏電流小；導(dǎo)通狀態(tài)時，功耗小，同時泄放ESD電流容量大，開關(guān)響應(yīng)速度快，能在高壓和低壓之間自如切換；本實(shí)用新型工作安全、可靠性高。