一種肖特基pn結集成器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201620750249.9 申請日 -
公開（公告）號 CN205881913U 公開（公告）日 2017-01-11
申請公布號 CN205881913U 申請公布日 2017-01-11
分類號 H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高秀秀 申請（專利權）人 廈門吉順芯微電子有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 361000 福建省廈門市集美北部工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種肖特基pn結集成器件，包括P基區(qū)、肖特基勢壘金屬層，肖特基勢壘金屬層位于在P基區(qū)的頂端，P基區(qū)上設有N基區(qū)、P+陽極發(fā)射區(qū)，N基區(qū)位于P基區(qū)的上側，P+陽極發(fā)射區(qū)位于P基區(qū)的下側，N基區(qū)上設有兩個P+保護環(huán)、N+發(fā)射區(qū)，兩個P+保護環(huán)、N+發(fā)射區(qū)都位于N基區(qū)的上方，兩個P+保護環(huán)都與肖特基勢壘金屬層相連接，肖特基勢壘金屬層為正極A，N+發(fā)射區(qū)為負極，P+陽極發(fā)射區(qū)為正極B。本實用新型提高了肖特基二極管的反向耐壓值，并降低通態(tài)壓降，增大了通態(tài)電流。因此，本實用新型保持了超高速開通、低通態(tài)壓降的優(yōu)良特性，并滿足電力電子對肖特基二極管高反向耐壓值的要求。