一種具有雙門極的雙波狀基區(qū)GCT器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201620749835.1 申請日 -
公開（公告）號 CN205881908U 公開（公告）日 2017-01-11
申請公布號 CN205881908U 申請公布日 2017-01-11
分類號 H01L29/744(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高秀秀 申請（專利權）人 廈門吉順芯微電子有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 361000 福建省廈門市集美北部工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種具有雙門極的雙波狀基區(qū)GCT器件，包括N?基區(qū)、N基區(qū)、P基區(qū)、N+陰極發(fā)射區(qū)、P+陽極發(fā)射區(qū)，N?基區(qū)位于P基區(qū)與N基區(qū)之間，N?基區(qū)與P基區(qū)的交界處為JB結(jié)，N?基區(qū)與N基區(qū)的交界處為JA結(jié)，JB結(jié)、JA結(jié)都呈波狀，P+陽極發(fā)射區(qū)與N基區(qū)相連，N+陰極發(fā)射區(qū)與P基區(qū)相連，N+陰極發(fā)射區(qū)與P基區(qū)的交界處為JC結(jié)，N+陰極發(fā)射區(qū)引出K極，P基區(qū)的兩側(cè)都引出G1極，N基區(qū)兩側(cè)都引出G2極，P+陽極發(fā)射區(qū)引出A極。本實用新型提高了器件芯片利用率和響應頻率，通態(tài)電流密度更大，開關速度更快，更均勻，通態(tài)功耗和開關功耗小，工作頻率高。