具有深槽和T?POLY結構的溝槽型MOS肖特基整流器及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610801864.2 申請日 -
公開（公告）號 CN106328690A 公開（公告）日 2017-01-11
申請公布號 CN106328690A 申請公布日 2017-01-11
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高耿輝;焦世龍;高秀秀 申請（專利權）人 廈門吉順芯微電子有限公司
代理機構 福州元創(chuàng)專利商標代理有限公司 代理人 廈門集順半導體制造有限公司;廈門元順微電子技術有限公司;友順科技股份有限公司;廈門吉順芯微電子有限公司
地址 361021 福建省廈門市集美北部工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種具有深槽和T?POLY結構的溝槽型MOS肖特基整流器及制造方法，包括外延層，外延層上沿橫向間隔刻蝕形成若干個縱向的溝槽，所述溝槽自外延層的上表面向下延伸，所述外延層的厚度為D，其中D大于0，所述溝槽的深度為；每個溝槽的底部以及兩內側壁均設有絕緣介質，位于兩內側壁的絕緣介質呈臺階狀；每個溝槽內淀積有多晶，多晶呈T型結構，多晶由橫向肩部和縱向延伸部組成，橫向肩部的上表面與外延層的上表面平齊，下表面延伸至縱向延伸部的上表面；橫向肩部的厚度為溝槽深度的三分之一至二分之一。本發(fā)明在高反向偏置下，增加了的電勢縱向降落空間，改善了溝槽底部拐角附近和氧化物內部的電場分布以及減小勢壘金屬附近電場強度。