一種具有提高接觸面積的平面肖特基整流器件及制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110625970.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113314618A 公開（公告）日 2021-08-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN113314618A 申請(qǐng)公布日 2021-08-27
分類號(hào) H01L29/872（2006.01）I;H01L29/47（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高耿輝;田洪光;黃福成;李曉婉;王研 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門吉順芯微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州元?jiǎng)?chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 郭東亮;蔡學(xué)俊
地址 361021福建省廈門市集美區(qū)集美北部工業(yè)區(qū)環(huán)珠路501號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種具有提高接觸面積的平面肖特基整流器件及其制造方法，器件肖特基勢(shì)壘的硅層包括與勢(shì)壘金屬相接形成接觸面的凹凸結(jié)構(gòu)；制造方法的熱氧化過程中，以帶鏤空區(qū)域的氮化硅屏蔽層遮擋器件襯底的硅表面形成保護(hù)區(qū)域，保護(hù)區(qū)域內(nèi)的硅表面在熱氧化過程不被消耗，氮化硅屏蔽層以淀積氮化硅工藝成型，屏蔽層鏤空區(qū)域下方的硅表面位于保護(hù)區(qū)域外，在熱氧化過程被氧化消耗，使硅表面產(chǎn)生與鏤空結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的硅臺(tái)階，形成肖特基勢(shì)壘處三維立體的凹凸結(jié)構(gòu)；本發(fā)明在反向電壓下，仍然采用傳統(tǒng)的平面肖特基P+環(huán)工藝做反向截止；在加正向電壓時(shí)，電流通過硅表面及臺(tái)階四周的勢(shì)壘層進(jìn)行導(dǎo)通，由于增加了臺(tái)階四周的接觸面積，從而降低了正向電流下的電壓。