一種具有低漏電高穩(wěn)定性的溝槽型SGT-MOS器件制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110475043.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113224151A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113224151A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-06 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/51;H01L29/423;H01L21/28 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 高耿輝;蘇柳青 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廈門(mén)吉順芯微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 福州元?jiǎng)?chuàng)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 郭東亮;蔡學(xué)俊 |
| 地址 | 361021 福建省廈門(mén)市集美區(qū)集美北部工業(yè)區(qū)環(huán)珠路501號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提出一種具有低漏電高穩(wěn)定性的溝槽型SGT?MOS器件，所述器件的外延層（1）處設(shè)有若干內(nèi)置有多晶固體（15）的溝槽（12）；所述多晶固體呈I型結(jié)構(gòu)；所述溝槽的底部及內(nèi)側(cè)壁處均設(shè)有與多晶固體貼合的絕緣層；所述溝槽內(nèi)側(cè)壁處的絕緣層的頂部低于外延層，使絕緣層、外延層和多晶固體的側(cè)壁圍成位于I型多晶固體側(cè)壁處的兩個(gè)介質(zhì)槽（18）；所述絕緣層為包括第一絕緣結(jié)構(gòu)（13）、第二絕緣結(jié)構(gòu)（14）的組合結(jié)構(gòu)；本發(fā)明改善了器件內(nèi)部?jī)蓚?cè)的介質(zhì)槽生長(zhǎng)介質(zhì)時(shí)，介質(zhì)厚度不均，厚度不容易控制，柵極與源極的漏電大的問(wèn)題。 |
