一種具有錯位排列的超結P區(qū)的高壓MOSFET及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610816169.3 申請日 -
公開（公告）號 CN106206742A 公開（公告）日 2016-12-07
申請公布號 CN106206742A 申請公布日 2016-12-07
分類號 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高秀秀;焦世龍;高耿輝;陳利 申請（專利權）人 廈門吉順芯微電子有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 361008 福建省廈門市軟件園二期觀日路48號701單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有錯位排列的超結P區(qū)的高壓MOSFET及其制造方法，包括金屬層A、N+襯底、P串區(qū)、P柱區(qū)、第五層外延層、第六層外延層、柵氧化層、金屬層B、多晶硅柵，金屬層A、N+襯底、P串區(qū)、P柱區(qū)、第五層外延層、第六層外延層從下至上依次排列，多晶硅柵位于柵氧化層內部，金屬層B引出S極，多晶硅柵引出G極，金屬層A引出D極，第五層外延層內設有P埋層，所述P埋層為若干個離子注入區(qū)，所述若干個離子注入區(qū)呈錯位交叉排列分布。本發(fā)明的高壓MOSFET耐壓值高，抗電荷偏移影響的能力增強，可靠性提高，其工藝簡單，提高效率和功率器件的良品比例，降低成本。