具有雙層外延結(jié)構(gòu)的Trench MOS肖特基整流器件及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110460839.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113066856A 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號 CN113066856A 申請公布日 2021-07-02
分類號 H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高耿輝;田洪光;黃福成;李曉婉;曲艷凱 申請（專利權(quán)）人 廈門吉順芯微電子有限公司
代理機構(gòu) 福州元創(chuàng)專利商標代理有限公司 代理人 丘鴻超;蔡學俊
地址 361021 福建省廈門市集美區(qū)集美北部工業(yè)區(qū)環(huán)珠路501號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種具有雙層外延結(jié)構(gòu)的TrenchMOS肖特基整流器件及制造方法，其特征在于：帶有雙層外延結(jié)構(gòu)，其上下兩層N型摻雜外延層的摻雜濃度和厚度不同。該方案在保障保證反向電壓和反向漏電特性的前提下，實現(xiàn)了正向壓降；并通過雙層外延結(jié)構(gòu)，由于上層外延濃度低的特點改善了反向偏置下勢壘金屬附近電場強度；下層外延濃度高可以降低正向?qū)〞r提電阻。