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    • 艾微普

    浙江艾微普科技有限公司

    存續(xù)
    • 地址：浙江省嘉興市海寧市海昌街道芯中路6號1幢
    • 簡介：-
    • 商標信息 4
    • 專利信息 11
    • 軟件著作權 0
    • 作品著作權 0
    • 網站備案 1

    商標信息4

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 艾微普 半導體設備制造 37類-建筑修理 43823457 商標已注冊 2020-01-15 查看
    2 艾·微·普 半導體設備制造 40類-材料加工 43817727 商標已注冊 2020-01-15 查看
    3 艾·微·普 半導體設備制造 07類-機械設備 43661989 商標已注冊 2020-01-08 查看
    4 艾微普半導體設備制造 42類-網站服務 43657362 商標已注冊 2020-01-08 查看

    專利信息11

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種離子輔助的多靶磁控濺射設備 發(fā)明專利 CN202111504598.4 CN114015997A 2022-02-08
    2 均勻薄膜沉積的設備 實用新型 CN202120714152.3 CN215517614U 2022-01-14
    3 一種折射率可調的AlN薄膜的制備設備 實用新型 CN202121409192.3 CN215517601U 2022-01-14
    4 離子輔助、傾斜濺射的PVD系統(tǒng) 實用新型 CN202120137380.9 CN215209603U 2021-12-17
    5 磁控濺射設備的可調式擋板 實用新型 CN202022361509.2 CN214168116U 2021-09-10
    6 一種折射率可調的AlN薄膜的制備設備及方法 發(fā)明專利 CN202110702031.1 CN113337795A 2021-09-03
    7 一種應力可調控的、反應濺射AlN薄膜的制備方法和設備 發(fā)明專利 CN202110465438.7 CN113265613A 2021-08-17
    8 一種離子輔助、傾斜濺射、反應濺射沉積薄膜的方法及設備 發(fā)明專利 CN202110268042.3 CN113061857A 2021-07-02
    9 均勻薄膜沉積的方法和設備 發(fā)明專利 CN202110378222.7 CN112981350A 2021-06-18
    10 離子源及離子刻蝕設備 實用新型 CN202022399024.2 CN213184195U 2021-05-11

    軟件著作權0

    暫無信息 暫無軟件著作權

    作品著作權0

    暫無信息 暫無作品著作權

    網站備案1

    序號 網站名 網址 備案號 主辦單位性質 審核日期
    1 浙江艾微普科技有限公司 www.avptec.com 浙ICP備20004147號 企業(yè) 2020-02-13
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