離子源及離子刻蝕設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022399024.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213184195U 公開（公告）日 2021-05-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN213184195U 申請(qǐng)公布日 2021-05-11
分類號(hào) H01J27/18;H01J37/08;H01J37/305 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 唐云俊;王昱翔;周虹玲;周東修 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江艾微普科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 嘉興啟帆專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王大國
地址 314400 浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)雙聯(lián)路129號(hào)14幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種離子源及離子刻蝕設(shè)備，包括柵欄、射頻電源線圈、石英腔、氣流導(dǎo)向結(jié)構(gòu)和用于調(diào)節(jié)離子源產(chǎn)生的離子流密度的可調(diào)磁場(chǎng)裝置，所述可調(diào)磁場(chǎng)裝置包括至少三個(gè)不同軸的電磁鐵，所有電磁鐵均連接有調(diào)節(jié)角度的驅(qū)動(dòng)裝置，所有電磁鐵之間相互獨(dú)立，通過改變各個(gè)電磁鐵的電流和傾斜角，產(chǎn)生不同強(qiáng)度和方向的磁場(chǎng)，它們就可以獨(dú)立或者共同耦合來改變離子流的密度，進(jìn)而提高整個(gè)區(qū)域的刻蝕速率均勻度。