一種離子輔助的多靶磁控濺射設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111504598.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114015997A 公開（公告）日 2022-02-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN114015997A 申請(qǐng)公布日 2022-02-08
分類號(hào) C23C14/35（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 唐云俊;王昱翔 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江艾微普科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 嘉興啟帆專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王大國
地址 314400浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)雙聯(lián)路129號(hào)14幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種離子輔助的多靶磁控濺射設(shè)備，包括上載腔體、輸運(yùn)腔體和工藝腔體，輸運(yùn)腔體內(nèi)設(shè)置有機(jī)械手，所述工藝腔體內(nèi)設(shè)置有晶圓臺(tái)、至少一個(gè)離子源裝置和至少兩個(gè)磁控管裝置，所述晶圓臺(tái)位于下方，離子源裝置和磁控管裝置位于上方，且離子源裝置與磁控管裝置圍繞晶圓臺(tái)的中心均分布，所述離子源裝置與磁控管均朝向晶圓臺(tái)并與晶圓臺(tái)呈角度傾斜布置，本發(fā)明能夠在一個(gè)工藝腔體內(nèi)裝置多個(gè)靶材的離子輔助PVD濺射系統(tǒng)，無需多個(gè)工藝腔室，且無需多次的裝夾，效率高。