離子輔助、傾斜濺射的PVD系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120137380.9 申請日 -
公開（公告）號 CN215209603U 公開（公告）日 2021-12-17
申請公布號 CN215209603U 申請公布日 2021-12-17
分類號 C23C14/35（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I;C23C14/50（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 唐云俊;王昱翔;周虹玲;周東修 申請（專利權(quán)）人 浙江艾微普科技有限公司
代理機構(gòu) 嘉興啟帆專利代理事務所（普通合伙） 代理人 王大國
地址 314400浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟開發(fā)區(qū)雙聯(lián)路129號14幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種離子輔助、傾斜濺射的PVD系統(tǒng)，包括腔室，腔室內(nèi)設置有等離子體源、靶支架和基板載物臺，所述基板載物臺的正面周圍設置有氣體噴淋單元，所述氣體噴淋單元包括噴氣環(huán)，基板載物臺對應噴氣環(huán)的中間用以放置基片，所述氣體噴淋單元還包括若干噴孔，若干噴孔在噴氣環(huán)的內(nèi)側(cè)沿圓周均勻分布，所述噴氣環(huán)上設置有與噴孔連通的氣道，本實用新型具有可以用于噴出如氧氣的處理氣體的氣體噴淋單元，以促進在濺射沉積過程中處理氣體與靶材濺射處的顆粒之間的化學反應，噴孔可以沿著氣管的長度方向均勻分布，使得化學反應在晶圓的表面上可以基本均勻的進行。