一種應(yīng)力可調(diào)控的、反應(yīng)濺射AlN薄膜的制備方法和設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110465438.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113265613A 公開（公告）日 2021-08-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN113265613A 申請(qǐng)公布日 2021-08-17
分類號(hào) C23C14/00;C23C14/06 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 唐云俊;王昱翔;陳立翰;周虹玲;周東修 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江艾微普科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 嘉興啟帆專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王大國
地址 314400 浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)雙聯(lián)路129號(hào)14幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種應(yīng)力可調(diào)控的、反應(yīng)濺射AlN薄膜的制備方法和設(shè)備，包括工藝腔體，所述工藝腔體內(nèi)設(shè)置有靶材和基片臺(tái)，所述基片臺(tái)通過導(dǎo)線連接匹配網(wǎng)絡(luò)，所述匹配網(wǎng)絡(luò)通過導(dǎo)線連接射頻電源，方法包括如下步驟，S1：運(yùn)行參數(shù)的調(diào)試，首先編制遲滯回線工藝菜單，上載基片，運(yùn)行遲滯回線菜單并繪制記錄遲滯回線，確定穩(wěn)定反應(yīng)濺射時(shí)各參數(shù)的數(shù)值，并記錄為指定值，完成調(diào)試后下載基片；S2：根據(jù)繪制的遲滯回線的指定值編制工藝菜單，將基片上載至工藝腔體的基片臺(tái)上；S3：運(yùn)行工藝菜單，完成指定工藝時(shí)間后下載基片；S4：測(cè)量基片應(yīng)力，本發(fā)明可以通過調(diào)整施加的偏壓電場的功率或電壓，以改變薄膜的晶體生長模式，從而改變薄膜的內(nèi)應(yīng)力狀態(tài)和大小。