一種折射率可調(diào)的AlN薄膜的制備設(shè)備及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110702031.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113337795A 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN113337795A 申請公布日 2021-09-03
分類號 C23C14/06（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 唐云俊;王昱翔;周虹玲;周東修 申請（專利權(quán)）人 浙江艾微普科技有限公司
代理機構(gòu) 嘉興啟帆專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王大國
地址 314400浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟開發(fā)區(qū)雙聯(lián)路129號14幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種折射率可調(diào)的AlN薄膜的制備設(shè)備和方法，設(shè)備包括包括工藝腔體，所述工藝腔體上設(shè)置有工藝氣體進口和真空吸口，工藝氣體進口連接有氮氣管道和氬氣管道，方法包括如下工藝步驟，S1：編制遲滯回線菜單；S2：上載基片，運行上述遲滯回線菜單；S3：下載基片，繪制遲滯回線菜單；S4：依據(jù)遲滯回線，確定反應(yīng)濺射氮化鋁的氮氣流量并編制工藝菜單；S5：上載基片，運行工藝菜單；S6：下載基片，測量薄膜光學(xué)參數(shù)；S7：若未達標，進入步驟S8；若達標，則滿足要求，結(jié)束。S8：微調(diào)氮氣流量，形成新的工藝菜單；重復(fù)步驟S5?S7，本發(fā)明可以通過精確調(diào)控反應(yīng)濺射中工藝氣體的氮氣的含量，從而對氮化鋁（AlN）的折射率進行調(diào)控，以達到設(shè)計的需求。