一種離子輔助、傾斜濺射、反應(yīng)濺射沉積薄膜的方法及設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110268042.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113061857A 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號 CN113061857A 申請公布日 2021-07-02
分類號 C23C14/35;C23C14/54;C23C14/50;C23C14/56;C23C14/06;C23C14/08 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 唐云俊;王昱翔;周虹玲;周東修 申請（專利權(quán)）人 浙江艾微普科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 嘉興啟帆專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王大國
地址 314400 浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)雙聯(lián)路129號14幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種離子輔助、傾斜濺射、反應(yīng)濺射沉積薄膜的方法，包括如下步驟，運行參數(shù)的調(diào)試，編制遲滯回線菜單，首先確定基礎(chǔ)參數(shù)，基礎(chǔ)參數(shù)包括離子源電源功率和連接靶材的射頻電源功率、脈沖電源功率、基片臺傾斜角度、工藝氣體壓力、工藝氣體流量變化和工藝時間，然后參數(shù)的設(shè)置，按照設(shè)置的參數(shù)運行，完成指定工藝時間，下載基片，本發(fā)明采用離子輔助、傾斜濺射、混頻電源、基片冷卻的反應(yīng)濺射的方法及設(shè)備，克服現(xiàn)有氧化鋁薄膜沉積速率低，對基片上3D結(jié)構(gòu)的裹覆率不高、基片溫度較高的缺點。