均勻薄膜沉積的方法和設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110378222.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112981350A 公開（公告）日 2021-06-18
申請公布號 CN112981350A 申請公布日 2021-06-18
分類號 C23C14/35;C23C14/54 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 唐云俊;王昱翔;周虹玲;周東修 申請（專利權(quán)）人 浙江艾微普科技有限公司
代理機構(gòu) 嘉興啟帆專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王大國
地址 314400 浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟開發(fā)區(qū)雙聯(lián)路129號14幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種均勻薄膜沉積的設(shè)備，包括沉積腔體，沉積腔體內(nèi)設(shè)置有濺射靶材、靶支架和基片臺，基片臺上設(shè)置有晶圓放置區(qū)，還包括連接至沉積腔體內(nèi)的工藝氣體分配系統(tǒng)，工藝氣體分配系統(tǒng)包括多個工藝氣體引導(dǎo)通道，多個工藝氣體引導(dǎo)通道伸入沉積腔體內(nèi)的一端位于晶圓放置區(qū)的外側(cè)周圍，能夠?qū)⒐に嚉怏w導(dǎo)入沉積腔體內(nèi)，所述每個工藝氣體引導(dǎo)通道均獨立連接有質(zhì)量流量控制器，本發(fā)明具有多位置獨立引進工藝工藝氣體，通過調(diào)整不同位置的工藝氣體流量，從而克服沉積腔體內(nèi)真空設(shè)計不對稱的問題，進而形成均勻的氣流分布，并提高薄膜沉積的均勻性。