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  • 鼎泰芯源

    珠海鼎泰芯源晶體有限公司

    開(kāi)業(yè)
    • 地址:珠海市高新區(qū)金鼎工業(yè)片區(qū)金園一路6號(hào)8棟廠房
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    商標(biāo)信息4

    序號(hào) 商標(biāo)名稱(chēng) 國(guó)際分類(lèi) 注冊(cè)號(hào) 狀態(tài) 申請(qǐng)日期 操作
    1 鼎泰芯源 - 26876894 商標(biāo)已注冊(cè) 2017-10-13 查看
    2 DT-CRYSTAL - 26872405 商標(biāo)已注冊(cè) 2017-10-13 查看
    3 圖形 - 26871639 商標(biāo)已注冊(cè) 2017-10-13 查看
    4 鼎泰芯源 - 26859404 商標(biāo)已注冊(cè) 2017-10-13 查看

    專(zhuān)利信息66

    序號(hào) 專(zhuān)利名稱(chēng) 專(zhuān)利類(lèi)型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)(公告)號(hào) 公布日期
    1 一種磷化銦晶片的清洗方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN202110994873.9 CN113690128A 2021-11-23
    2 一種基于VGF法的氣相摻雜的晶體生長(zhǎng)方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN201911405446.1 CN111041550B 2021-10-12
    3 一種低濃度P型磷化銦單晶的制備方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN201811652934.8 CN109629003B 2021-05-28
    4 對(duì)VGF法生產(chǎn)的InP晶錠進(jìn)行籽晶、引晶及結(jié)晶情況判定的方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN201811640598.5 CN109629002B 2021-03-16
    5 基于VGF法晶體生長(zhǎng)用石英封帽以及晶體生長(zhǎng)裝置 實(shí)用新型 CN201922459336.5 CN211620660U 2020-10-02
    6 一種晶體生長(zhǎng)裝置 實(shí)用新型 CN201922114666.0 CN211005717U 2020-07-14
    7 一種基于VGF法的晶體生長(zhǎng)用雙層壁坩堝 實(shí)用新型 CN201922095129.6 CN211005709U 2020-07-14
    8 一種基于VGF法的氣相摻雜的晶體生長(zhǎng)方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN201911405446.1 CN111041550A 2020-04-21
    9 基于VGF法晶體生長(zhǎng)用石英封帽、晶體生長(zhǎng)裝置及晶體生長(zhǎng)工藝 發(fā)明專(zhuān)利 CN201911411298.4 CN110952133A 2020-04-03
    10 一種晶體生長(zhǎng)后的退火及脫鍋方法以及晶體制備方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN201911189275.3 CN110725008A 2020-01-24

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