基于VGF法晶體生長(zhǎng)用石英封帽以及晶體生長(zhǎng)裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201922459336.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211620660U | 公開（公告）日 | 2020-10-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211620660U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-02 |
| 分類號(hào) | C30B11/00(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 趙有文;沈桂英;段滿龍;楊俊;盧偉;劉鵬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 珠海鼎泰芯源晶體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣東朗乾律師事務(wù)所 | 代理人 | 閆有幸 |
| 地址 | 519000廣東省珠海市高新區(qū)金鼎工業(yè)片區(qū)金園一路6號(hào)8棟廠房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開一種基于VGF法晶體生長(zhǎng)用石英封帽以及晶體生長(zhǎng)裝置；所述石英封帽與石英管配合使用以實(shí)現(xiàn)石英管的密封，石英管內(nèi)密封有晶體生長(zhǎng)用坩堝，坩堝內(nèi)盛裝有晶體生長(zhǎng)用原材料，所述原材料與石英封帽之間設(shè)置有自由空間；石英管具有開口；所述石英封帽包括蓋住石英管的開口的蓋體；其特征在于，所述石英封帽具有溫控部，所述溫控部凸出所述蓋體向上，所述溫控部具有通向所述石英管的內(nèi)腔。通過(guò)對(duì)VGF法晶體生長(zhǎng)用的石英封帽、晶體生長(zhǎng)裝置以及加熱工藝的配合改進(jìn)，能夠比較容易的對(duì)自由空間的蒸氣壓進(jìn)行控制；讓自由空間的蒸氣壓始終處于穩(wěn)定的狀態(tài)，從而得到均勻摻雜的單晶體。?? |
