一種磷化銦晶片的清洗方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110994873.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113690128A 公開（公告）日 2021-11-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN113690128A 申請(qǐng)公布日 2021-11-23
分類號(hào) H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉麗杰;趙有文;段滿龍;劉鵬;王書怡 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 珠海鼎泰芯源晶體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 黃菲菲
地址 519000 廣東省珠海市高新區(qū)金鼎工業(yè)園金園一路6號(hào)8棟廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體晶片加工技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種磷化銦晶片的清洗方法。該清洗方法，先采用有機(jī)溶劑去除磷化銦晶片表面的有機(jī)物，然后依次采用堿液、酸液和堿液對(duì)磷化銦晶片進(jìn)行清洗。本發(fā)明提供的清洗方法，依次去除大顆粒物、小顆粒物和金屬殘留雜質(zhì)，能夠有效去除大直徑磷化銦晶片上的微納米級(jí)雜質(zhì)顆粒，使大直徑磷化銦晶片殘留80nm的粒子數(shù)密度小于0.2顆/厘米2；在邊緣去除2mm情況下，4英寸的磷化銦晶片殘留80nm的粒子小于340顆，6英寸的磷化銦晶片殘留80nm的粒子小于450顆。