對(duì)VGF法生產(chǎn)的InP晶錠進(jìn)行籽晶、引晶及結(jié)晶情況判定的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811640598.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109629002B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109629002B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-16 |
| 分類號(hào) | C30B29/40(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 趙有文;段滿龍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 珠海鼎泰芯源晶體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣東朗乾律師事務(wù)所 | 代理人 | 閆有幸;楊煥軍 |
| 地址 | 519000廣東省珠海市香洲區(qū)高新區(qū)金鼎工業(yè)片區(qū)金瑞二路南側(cè)A1棟廠房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)一種對(duì)VGF法生產(chǎn)的InP晶錠進(jìn)行籽晶、引晶及結(jié)晶情況判定的方法包括：(1)晶體生長(zhǎng)完成后，從VGF爐內(nèi)取出包含石英管、氮化硼坩堝及晶錠在內(nèi)的組件；(2)對(duì)石英管加熱，使得氮化硼坩堝及籽晶端沉積的紅磷升華沉積到石英管的端部，直至所述氮化硼坩堝和籽晶端部分的石英管的透明度達(dá)到設(shè)定的透明度；(3)采用超聲波探測(cè)儀對(duì)氮化硼坩堝內(nèi)的晶錠從籽晶端到尾部進(jìn)行掃描，獲得籽晶和晶體表面的圖像；(4)根據(jù)獲得的籽晶和晶體表面的圖像，判斷晶體表面結(jié)晶情況及籽晶引晶情況是否達(dá)到設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)，是則進(jìn)行開(kāi)管和脫堝處理；否則將所述組件送回VGF爐重新進(jìn)行生長(zhǎng)工藝。本發(fā)明可以有效降低InP的生長(zhǎng)成本，提高原原材料和輔材料的利用率。?? |
