一種基于VGF法的氣相摻雜的晶體生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911405446.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111041550A 公開（公告）日 2020-04-21
申請公布號 CN111041550A 申請公布日 2020-04-21
分類號 C30B11/06;C30B29/40;C30B11/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 趙有文;段滿龍;劉鵬;盧偉;楊俊;劉京明;謝輝 申請（專利權(quán)）人 珠海鼎泰芯源晶體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣東朗乾律師事務(wù)所 代理人 閆有幸
地址 519000 廣東省珠海市高新區(qū)金鼎工業(yè)片區(qū)金園一路6號8棟廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種基于VFG法的氣相摻雜的晶體生長方法；涉及晶體制備技術(shù)領(lǐng)域。包括以下步驟：S1、將晶體生長用多晶、籽晶、紅磷放入坩堝；S2、將所述坩堝放置于石英管內(nèi)；其特征在于，步驟S2之后還包括，S3、將連接有摻雜劑的石英封帽蓋在所述石英管上，并使得所述摻雜劑位于所述石英管內(nèi)，且所述摻雜劑與多晶、籽晶以及紅磷不接觸；之后將石英封帽與石英管密封。通過對VGF法晶體生長用的石英封帽、升溫工藝的改進(jìn)，讓摻雜劑與晶體生長的其他原材料分離開來，摻雜劑Fe元素通過氣相擴(kuò)散進(jìn)行進(jìn)入熔體，實(shí)現(xiàn)摻雜濃度均勻，提高了晶體電阻率均勻性及成晶率；同時也能夠降低摻雜劑Fe的摻雜量，節(jié)省了成本。