一種晶體生長后的退火及脫鍋方法以及晶體制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911189275.3 申請日 -
公開（公告）號 CN110725008A 公開（公告）日 2020-01-24
申請公布號 CN110725008A 申請公布日 2020-01-24
分類號 C30B29/40;C30B33/02;C30B11/02 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 段滿龍;趙有文;楊俊;劉京明;盧偉 申請（專利權(quán)）人 珠海鼎泰芯源晶體有限公司
代理機構(gòu) 廣東朗乾律師事務(wù)所 代理人 閆有幸;楊煥軍
地址 519000廣東省珠海市高新區(qū)金鼎工業(yè)片區(qū)金園一路6號8棟廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種晶體生長后的退火及脫鍋方法以及晶體制備方法；所述退火及脫堝方法包括退火步驟以及退火步驟之后的脫堝步驟；具體地，退火步驟包括以下階段：第一階段：升溫階段，溫度升高至所述覆蓋劑的熔點以上、且低于晶體表面離解溫度；第二階段：恒溫階段，溫度維持恒溫，持續(xù)時間3～7h；第三階段：調(diào)整晶體生長爐的傾斜角度，所述晶體生長爐沿縱向轉(zhuǎn)動的角度介于95°～150°之間；本階段溫度繼續(xù)維持恒溫，持續(xù)時間1～4h；第四階段：降溫階段，溫度逐漸降溫至室溫；所述脫堝步驟具體包括：將所述坩堝從石英安瓿瓶中取出，經(jīng)過40℃～80℃的超聲波水浴，持續(xù)1～4h。本發(fā)明能夠減少晶體制備工序，減少脫堝過程中對坩堝的損傷，保證了單晶的質(zhì)量以及節(jié)約成本。