一種低濃度P型磷化銦單晶的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811652934.8 申請日 -
公開（公告）號 CN109629003B 公開（公告）日 2021-05-28
申請公布號 CN109629003B 申請公布日 2021-05-28
分類號 C30B29/40(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 劉京明;趙有文 申請（專利權(quán)）人 珠海鼎泰芯源晶體有限公司
代理機構(gòu) 廣東朗乾律師事務(wù)所 代理人 閆有幸;楊煥軍
地址 519000廣東省珠海市香洲區(qū)高新區(qū)金鼎工業(yè)片區(qū)金瑞二路南側(cè)A1棟廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低濃度P型磷化銦單晶的制備方法，包括以下步驟：S1，對采用VGF法生長單晶時使用的石英管、封帽及氮化硼坩堝進行高溫退火處理；S2，采用VGF法生長低濃度P型磷化銦單晶；本發(fā)明通過對石英管、封帽及氮化硼坩堝進行高溫退火處理，充分去除了石英管、封帽及氮化硼坩堝中的羥基(OH)雜質(zhì)，從而降低了磷化銦單晶中的氫含量，進而降低了磷化銦單晶中VInH4施主缺陷的濃度。??