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    • 華芯

    華芯半導(dǎo)體科技有限公司

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    • 地址：江蘇省泰州市姜堰區(qū)現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)園（群東路南側(cè)）
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    商標(biāo)信息2

    序號(hào) 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊(cè)號(hào) 狀態(tài) 申請(qǐng)日期 操作
    1 圖形 09類-科學(xué)儀器 21967007 商標(biāo)已注冊(cè) 2016-11-21 查看
    2 圖形 09類-科學(xué)儀器 21967006 商標(biāo)已注冊(cè) 2016-11-21 查看

    專利信息46

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 VCSEL芯片蒸鍍用夾具、VCSEL芯片蒸鍍系統(tǒng)和方法 發(fā)明專利 CN202110946145.0 CN113416931A 2021-09-21
    2 對(duì)芯片進(jìn)行失效分析的裝置及方法 發(fā)明專利 CN202110951771.9 CN113406484A 2021-09-17
    3 一種新型Vcsel的外延結(jié)構(gòu)及其對(duì)應(yīng)氧化孔徑的測(cè)試方法 發(fā)明專利 CN202010868764.8 CN112133643B 2021-09-07
    4 具有透鏡結(jié)構(gòu)的VCSEL芯片 實(shí)用新型 CN202022749667.5 CN214124315U 2021-09-03
    5 用于MOCVD設(shè)備反應(yīng)腔的測(cè)量裝置 發(fā)明專利 CN202110889862.4 CN113340180A 2021-09-03
    6 在芯片晶圓表面進(jìn)行電鍍的方法及其應(yīng)用 發(fā)明專利 CN202110878373.9 CN113337860A 2021-09-03
    7 具有斜坡PIA結(jié)構(gòu)的VCSEL芯片及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110867616.9 CN113314952A 2021-08-27
    8 背面散熱的VCSEL芯片及其制備方法和應(yīng)用 發(fā)明專利 CN202110867426.7 CN113314945A 2021-08-27
    9 減少VIA開窗刻蝕損傷的方法和VCSEL芯片 發(fā)明專利 CN202110835474.8 CN113285353A 2021-08-20
    10 具有分揀保護(hù)結(jié)構(gòu)的垂直腔面發(fā)射激光器 發(fā)明專利 CN202110834620.5 CN113285352A 2021-08-20

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    1 華芯半導(dǎo)體科技有限公司 www.sinosemic.com 蘇ICP備18028918號(hào) 企業(yè) 2018-05-28
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