具有透鏡結(jié)構(gòu)的VCSEL芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022749667.5 申請日 -
公開（公告）號 CN214124315U 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN214124315U 申請公布日 2021-09-03
分類號 H01S5/183（2006.01）I;H01S5/187（2006.01）I;H01S5/02253（2021.01）I;H01S5/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙風(fēng)春;王青;張楊;李軍;堯舜;單杰;王光輝 申請（專利權(quán)）人 華芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 周慧云
地址 100020北京市朝陽區(qū)佳匯國際中心B座1107
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了具有透鏡結(jié)構(gòu)的VCSEL芯片，所述VCSEL芯片包括GaAs襯底；在所述GaAs襯底上依次生長的NDBR層、MQW層、氧化層、PDBR層和P接觸層；設(shè)置在所述出光孔區(qū)域的所述P接觸層上的P電極；設(shè)置在所述GaAs襯底靠近所述NDBR層的表面上的N電極；設(shè)置在所述VCSEL芯片的至少部分表面上的SIN鈍化層；設(shè)置在所述出光孔區(qū)域的所述SIN鈍化層的表面上的透鏡。本實(shí)用新型不僅可以有效降低VCSEL芯片的發(fā)散角，同時還可以有效保護(hù)出光腔面，從而保證VCSEL芯片具有良好的外觀。