具有斜坡PIA結(jié)構(gòu)的VCSEL芯片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110867616.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113314952A 公開（公告）日 2021-08-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN113314952A 申請(qǐng)公布日 2021-08-27
分類號(hào) H01S5/183（2006.01）I;H01S5/028（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 江藹庭;趙風(fēng)春;王青;張楊;李軍;堯舜;單杰;王光輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 趙麗婷
地址 100020北京市朝陽區(qū)佳匯國際中心B座1107
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了具有斜坡PIA結(jié)構(gòu)的VCSEL芯片及其制備方法，所述方法包括：（1）在GaAs襯底上按照層狀結(jié)構(gòu)依次制備NDBR層、MQW層、氧化層、PDBR層、P接觸層和SIN膜；（2）采用灰度光刻法在所述SIN膜上制備呈斜坡狀的PIA膜；（3）在所述PIA膜上制備P電極，以便得到PAD打線區(qū)；（4）制備N電極。本發(fā)明通過在PAD打線區(qū)設(shè)置斜坡PIA膜，不僅可以有效消除寄生電容，有效提高VCSEL芯片的高頻特性，同時(shí)由于固化后的斜坡PIA具有斜坡，因而具有耐機(jī)械沖擊的特性，可以有效解決金屬爬臺(tái)易斷線的問題和增加后續(xù)芯片封裝抗機(jī)械沖擊的能力。