在芯片晶圓表面進行電鍍的方法及其應(yīng)用
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202110878373.9 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN113337860A | 公開(公告)日 | 2021-09-03 |
| 申請公布號 | CN113337860A | 申請公布日 | 2021-09-03 |
| 分類號 | C25D5/02(2006.01)I;C25D5/10(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C28/02(2006.01)I | 分類 | 電解或電泳工藝;其所用設(shè)備〔4〕; |
| 發(fā)明人 | 江藹庭;王青;王光輝;張楊;趙風(fēng)春;顧慧凱 | 申請(專利權(quán))人 | 華芯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 趙麗婷 |
| 地址 | 100020北京市朝陽區(qū)佳匯國際中心B座1107 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種在芯片晶圓表面進行電鍍的方法及其應(yīng)用,方法包括:(1)在芯片晶圓表面依次濺射第一電鍍種子層Ti和第二電鍍種子層Au;(2)通過勻膠、曝光、顯影,形成VIA開窗圖形,以便將需要電鍍的部分裸露出來,不需要電鍍的部分被光刻膠覆蓋;(3)在VIA開窗處進行電鍍,以便形成電鍍金層;(4)在電鍍金層的表面濺射Ti保護層;(5)通過金屬剝離方法將光刻膠去除;(6)去除第二電鍍種子層Au;(7)去除第一電鍍種子層Ti和Ti保護層。本發(fā)明在保證良好的電鍍金層外觀的情形下,降低了制造電鍍金層的成本,縮短了制造電鍍金層的時間,同時還有效避免了蒸鍍金屬爬臺斷線的風(fēng)險,增加了芯片的可靠性。 |





