對芯片進(jìn)行失效分析的裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110951771.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113406484A 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN113406484A 申請公布日 2021-09-17
分類號 G01R31/28（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 吉祥;江藹庭;王青 申請（專利權(quán)）人 華芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 趙麗婷
地址 100020北京市朝陽區(qū)佳匯國際中心B座1107
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了對芯片進(jìn)行失效分析的裝置及方法。該裝置包括紅外金相顯微鏡、顯示器、芯片載臺、電流源、金屬探針和金屬探針調(diào)節(jié)座，紅外金相顯微鏡適于觀測待測芯片發(fā)射區(qū)的電致發(fā)光情況；顯示器與紅外金相顯微鏡相連并適于顯示紅外金相顯微鏡觀測到的情況；芯片載臺適于盛放待測芯片；電流源適于輸出直流電流并控制輸出的直流電流的大?。惶结樥{(diào)節(jié)座適于將與電流源輸出端相連的金屬探針的探針尖與待測芯片的電極接觸。該裝置不僅結(jié)構(gòu)簡單，還能通過電致發(fā)光情況精確判定待測芯片是否存在失效、失效位置的形狀以及失效位置具體是位于芯片內(nèi)部還是表面，同時可以判定待測芯片失效的電性形態(tài)，能夠大大提升對芯片進(jìn)行失效分析的準(zhǔn)確率和可靠性。