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    • 意發(fā)功率

    張家港意發(fā)功率半導(dǎo)體有限公司

    存續(xù)
    • 地址：張家港經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)（國(guó)泰北路1號(hào)留學(xué)生創(chuàng)業(yè)園）
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    • 商標(biāo)信息 3
    • 專利信息 61
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 1

    商標(biāo)信息3

    序號(hào) 商標(biāo)名稱 國(guó)際分類 注冊(cè)號(hào) 狀態(tài) 申請(qǐng)日期 操作
    1 EVER POWER SEMICONDUCTOR 42類-網(wǎng)站服務(wù) 10469268 商標(biāo)已注冊(cè) 2012-02-08 查看
    2 EVER POWER SEMICONDUCTOR 35類-廣告銷售 10469231 商標(biāo)已注冊(cè) 2012-02-08 查看
    3 EVER POWER SEMICONDUCTOR 09類-科學(xué)儀器 10469184 商標(biāo)已注冊(cè) 2012-02-08 查看

    專利信息61

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 一種具有凹槽柵的增強(qiáng)型氮化鎵異質(zhì)結(jié)HEMT的刻蝕方法 發(fā)明專利 CN201811230221.2 CN109390234B 2022-03-22
    2 一種FRD芯片 實(shí)用新型 CN202022964312.8 CN213988893U 2021-08-17
    3 一種二維溝槽型高壓SOI-LIGBT結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202022977172.8 CN213988866U 2021-08-17
    4 一種三維溝槽型高壓SOI-LIGBT結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202022964317.0 CN213988865U 2021-08-17
    5 一種橫向絕緣柵雙極晶體管 實(shí)用新型 CN202022964315.1 CN213988864U 2021-08-17
    6 一種混合PIN/肖特基快恢復(fù)二極管的制備方法 發(fā)明專利 CN201810767803.8 CN109103094B 2021-07-16
    7 一種混合PIN/肖特基快恢復(fù)二極管的制備方法 發(fā)明專利 CN201810767803.8 CN109103094A 2021-07-16
    8 一種溝槽肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法 發(fā)明專利 CN201810767802.3 CN109065637B 2021-07-16
    9 一種溝槽肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法 發(fā)明專利 CN201810767802.3 CN109065637A 2021-07-16
    10 一種IGBT半導(dǎo)體器件的制作方法及IGBT半導(dǎo)體器件 發(fā)明專利 CN202011524233.3 CN112531021A 2021-03-19

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    暫無信息 暫無軟件著作權(quán)

    作品著作權(quán)0

    暫無信息 暫無作品著作權(quán)

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    序號(hào) 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號(hào) 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 張家港意發(fā)功率半導(dǎo)體有限公司 www.ever-power.cn 蘇ICP備20033794號(hào) 企業(yè) 2020-06-22
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