一種FRD芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022964312.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN213988893U 公開(kāi)（公告）日 2021-08-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN213988893U 申請(qǐng)公布日 2021-08-17
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I;H01L29/868（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周炳;趙承杰;王源政 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 張家港意發(fā)功率半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州國(guó)誠(chéng)專利代理有限公司 代理人 王麗
地址 215600江蘇省蘇州市張家港經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)（國(guó)泰北路1號(hào)留學(xué)生創(chuàng)業(yè)園）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種FRD芯片，包括陰極金屬，陰極金屬上設(shè)置有N+陰極層，N+陰極層上設(shè)置有N型基片，N型基片上設(shè)置有N?外延層，N?外延層上設(shè)置有I基片，I基片上設(shè)置有P基片，N?外延層上設(shè)置有氧化層，氧化層上設(shè)置有與P基片接觸的陽(yáng)極金屬。能夠保證整個(gè)芯片的性能穩(wěn)定，同時(shí)，提高運(yùn)行速度，降低了集電極電阻，且使得芯片能承受更高的反向工作電壓。