一種具有凹槽柵的增強(qiáng)型氮化鎵異質(zhì)結(jié)HEMT的刻蝕方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811230221.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109390234B 公開（公告）日 2022-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN109390234B 申請(qǐng)公布日 2022-03-22
分類號(hào) H01L21/335（2006.01）I;H01L21/311（2006.01）I;H01L21/66（2006.01）I;CN 107591326 A,2018.01.16;US 8124505 B1,2012.02.28;CN 104201104 A,2014.12.10;US 2016020313 A1,2016.01.21;CN 104282548 A,2015.01.14 S. V. Mikhailovich, et al.Low-Energy Defectless Dry Etching of the AlGaN/AlN/GaN HEMT Barrier Layer.《Technical Physics Letters》.2018,第44卷（第5期）, 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周炳;陳雨雁 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 張家港意發(fā)功率半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 常州智慧騰達(dá)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹軍
地址 215600江蘇省蘇州市張家港市楊舍鎮(zhèn)乘航河?xùn)|路80號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有凹槽柵的增強(qiáng)型氮化鎵異質(zhì)結(jié)HEMT的刻蝕方法。通過分別采用氧等離子體對(duì)帽層和多層外延層表面進(jìn)行氧化，分別形成第一氧化層和第二氧化層，然后采用氣體等離子體對(duì)第一氧化層和第二氧化層進(jìn)行刻蝕。由于第二氧化層含有鋁的氧化物，鋁的氧化物較為致密，一定程度上降低了刻蝕速率，刻蝕損傷較小，從而獲得較光滑的刻蝕表面，提高了刻蝕精度，每一個(gè)刻蝕循環(huán)都會(huì)完成固定的納米級(jí)刻蝕深度，通過多次循環(huán)刻蝕可實(shí)現(xiàn)所要求的刻蝕精度和表面平整度，同時(shí)工藝過程中采用紫外激光測(cè)厚儀測(cè)量刻蝕的厚度以及配合質(zhì)譜儀監(jiān)測(cè)鋁的離子濃度控制工藝進(jìn)度。