一種IGBT半導體器件的制作方法及IGBT半導體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011524233.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112531021A 公開（公告）日 2021-03-19
申請公布號 CN112531021A 申請公布日 2021-03-19
分類號 H01L21/28(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周炳;王源政;趙承杰 申請（專利權）人 張家港意發(fā)功率半導體有限公司
代理機構 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 王麗
地址 215600江蘇省蘇州市張家港經濟開發(fā)區(qū)(國泰北路1號留學生創(chuàng)業(yè)園)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種IGBT半導體器件的制作方法及IGBT半導體器件，所述方法包括：在正面鍍鋁后的IGBT芯片的上表面的非發(fā)射極區(qū)域形成光刻圖形；在光刻圖形上方蒸發(fā)金屬層；去除非發(fā)射極區(qū)域上方的金屬層；去除所述光刻圖形。本發(fā)明在于IGBT發(fā)射極(E)表面蒸發(fā)金屬銀，可采用CLIP鏈接，實現IGBT發(fā)射極(E)焊接面積最大化，提升IGBT的正向浪涌能力，同時不改變柵極(G)金屬結構。??