一種混合PIN/肖特基快恢復(fù)二極管的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810767803.8 申請日 -
公開（公告）號 CN109103094A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN109103094A 申請公布日 2021-07-16
分類號 H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周炳 申請（專利權(quán)）人 張家港意發(fā)功率半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 江蘇致邦律師事務(wù)所 代理人 閆東偉
地址 215600 江蘇省蘇州市張家港經(jīng)濟開發(fā)區(qū)（國泰北路1號留學(xué)生創(chuàng)業(yè)園）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種混合PIN/肖特基快恢復(fù)二極管的制備方法，在設(shè)計二極管耐壓時根據(jù)二極管的擊穿電壓1300V，通過控制n基區(qū)的厚度為107μm，寬度為25μm，濃度為1×1014cm?3，使二極管的反向擊穿電壓接近耐壓指標，再通過控制P+區(qū)域肖特基接觸區(qū)域的寬度為6.25μm，使二極管的反向擊穿電壓為要求的耐壓值1300V，控制注入深度為5μm，寬度為25μm，濃度為2×1020cm?3，形成n+區(qū)域，而且根據(jù)耗盡層主要在低摻雜一側(cè)展寬，即在n基區(qū)擴展，P+區(qū)也要求較高的摻雜濃度，又根據(jù)器件導(dǎo)通時首先是肖特基區(qū)域?qū)?，隨著正向電壓的逐漸增大才是PN結(jié)區(qū)域的導(dǎo)通對基區(qū)進行少子的注入，所以MPS二極管不像PIN二極管那樣對區(qū)的要求要有高的摻雜濃度。