一種二維溝槽型高壓SOI-LIGBT結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022977172.8 申請日 -
公開（公告）號 CN213988866U 公開（公告）日 2021-08-17
申請公布號 CN213988866U 申請公布日 2021-08-17
分類號 H01L23/13（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周炳;趙承杰;王源政 申請（專利權(quán)）人 張家港意發(fā)功率半導體有限公司
代理機構(gòu) 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 王麗
地址 215600江蘇省蘇州市張家港經(jīng)濟開發(fā)區(qū)（國泰北路1號留學生創(chuàng)業(yè)園）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種二維溝槽型高壓SOI?LIGBT結(jié)構(gòu)，包括襯底襯底的上端設有結(jié)構(gòu)本體，結(jié)構(gòu)本體的下端開設有凹槽，襯底的上端齒牙，齒牙的外側(cè)插接于凹槽內(nèi)，襯底的外壁設有彈性層，彈性層的外側(cè)設有防腐層，防腐層的外側(cè)設有耐磨層。該結(jié)構(gòu)設有多個防護層可以對SOI?LIGBT結(jié)構(gòu)進行充分的保護；通過齒牙插入到凹槽中，在采用粘膠進行固定，使得襯底與結(jié)構(gòu)本體之間的連接較為緊密。