一種溝槽肖特基勢壘二極管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810767802.3 申請日 -
公開（公告）號 CN109065637B 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN109065637B 申請公布日 2021-07-16
分類號 H01L29/872;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周炳 申請（專利權）人 張家港意發(fā)功率半導體有限公司
代理機構(gòu) 江蘇致邦律師事務所 代理人 閆東偉
地址 215600 江蘇省蘇州市張家港經(jīng)濟開發(fā)區(qū)（國泰北路1號留學生創(chuàng)業(yè)園）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種溝槽肖特基勢壘二極管，包括中部的有源區(qū)和環(huán)繞有源區(qū)的截止區(qū)，所述有源區(qū)自下而上依次設有N型襯底層、N型外延層、柵氧化層、肖特基金屬層、陽極金屬層、陰極金屬層；所述N型外延層上設有若干溝槽和凸臺，所述溝槽和凸臺橫向間隔設置，在凸臺的柵氧化層和陽極金屬層之間沉積有BPSG緩沖層，在溝槽內(nèi)填充有磷摻雜導電多晶硅層，所述溝槽深度1.3μm，溝槽寬度0.5μm，溝槽間距1.5μm以及溝槽內(nèi)氧化物的厚度1000?。本發(fā)明通過控制溝槽的形狀、溝槽深度、溝槽間有源區(qū)的寬度、溝槽內(nèi)氧化層的厚度，得到了一種反向漏電低，電壓反向阻斷能力佳，可靠性好的溝槽肖特基勢壘二極管。本發(fā)明還公開了一種溝槽肖特基勢壘二極管的制造方法，其步驟少，制造成本低。