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    北京市半導體器件研究所

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    專利信息6

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 帶低阻薄層襯底的高壓硅管及制法 發(fā)明專利 CN89103536.2 CN1014570B 1991-10-30
    2 功率MOS器件的柵保護器 實用新型 CN90216873.8 CN2073169U 1991-03-13
    3 具有低阻薄層襯底結構的高壓硅管 發(fā)明專利 CN89103536.2 CN1047758A 1990-12-12
    4 高壓垂直擴散場效應管及其制法 發(fā)明專利 CN88106151.4 CN1010066B 1990-10-17
    5 具有單層襯底結構的高壓晶體管 實用新型 CN88213133.8 CN2055292U 1990-03-28
    6 高壓垂直擴散場效應管及其制法 發(fā)明專利 CN88106151.4 CN1040707A 1990-03-21

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