高壓垂直擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)管及其制法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN88106151.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN1010066B 公開(kāi)（公告）日 1990-10-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN1010066B 申請(qǐng)公布日 1990-10-17
分類號(hào) H01L21/18;H01L21/304;H01L29/784 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李思敏 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京市半導(dǎo)體器件研究所
代理機(jī)構(gòu) 北京市專利事務(wù)所 代理人 王敬智
地址 北京市沙河鎮(zhèn)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高壓垂直擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)管的制作方法，屬半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域已有技術(shù)是在低阻N+的硅單晶襯底片上，生長(zhǎng)一層高阻N-外延層然后在外延層上進(jìn)行雙擴(kuò)散制作而成本發(fā)明不用外延片，直接在硅單晶片上制作高壓VDMOS晶體管，然后采用晶片減薄工藝和薄片加工工藝，降低VDMOS晶體管的導(dǎo)通電阻晶片減薄工藝和薄片加工工藝的特征是把薄硅片同底托片粘接在一起形成復(fù)合片，對(duì)復(fù)合片進(jìn)行加工。