高壓垂直擴散場效應(yīng)管及其制法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN88106151.4 申請日 -
公開（公告）號 CN1040707A 公開（公告）日 1990-03-21
申請公布號 CN1040707A 申請公布日 1990-03-21
分類號 H01L21/302;H01L29/784 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李思敏 申請（專利權(quán)）人 北京市半導(dǎo)體器件研究所
代理機構(gòu) 北京市專利事務(wù)所 代理人 王敬智
地址 北京市沙河鎮(zhèn)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高壓垂直擴散場效應(yīng)管的制作方法，屬半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域已有技術(shù)是在低阻N+的硅單晶襯底片上，生長一層高阻N-外延層然后在外延層上進行雙擴散制作而成。本發(fā)明不用外延片，直接在硅單晶片上制作高壓VDMOS晶體管，然后采用晶片減薄工藝和薄片加工工藝，降低VDMOS晶體管的導(dǎo)通電阻。晶片減薄工藝和薄片加工工藝的特征是：把薄硅片同底托片粘接在一起形成復(fù)合片，對復(fù)合片進行加工。