具有低阻薄層襯底結(jié)構(gòu)的高壓硅管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN89103536.2 申請日 -
公開（公告）號 CN1047758A 公開（公告）日 1990-12-12
申請公布號 CN1047758A 申請公布日 1990-12-12
分類號 H01L21/302;H01L21/265;H01L21/24;H01L21/324 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李恩敏 申請（專利權(quán)）人 北京市半導(dǎo)體器件研究所
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 北京市昌平縣沙河鎮(zhèn)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種對具有單層襯底結(jié)構(gòu)的高壓半導(dǎo)體硅管制造方法的改進(jìn)，通過背面摻雜等工藝，在襯底高阻層背面形成低阻薄層，有效地減小了接觸電阻，增加了功能，簡化了工藝，減少了加工中的碎片率，制成一種具有低阻薄層襯底結(jié)構(gòu)的新型高壓半導(dǎo)體硅管。