功率MOS器件的柵保護器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN90216873.8 申請日 -
公開（公告）號 CN2073169U 公開（公告）日 1991-03-13
申請公布號 CN2073169U 申請公布日 1991-03-13
分類號 H01L29/784;H01L23/58 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李思敏 申請（專利權(quán)）人 北京市半導(dǎo)體器件研究所
代理機構(gòu) 北京電子工業(yè)專利事務(wù)所 代理人 梁劍銳;李順德
地址 102206北京市昌平縣沙河鎮(zhèn)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 功率MOS器件的柵保護管，屬半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，其特征是在終端之內(nèi)，在硅單晶襯底上制作保護管，并用鋁條把保護管的一個極與功率MOS器件的柵極相連。