帶低阻薄層襯底的高壓硅管及制法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN89103536.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN1014570B 公開（公告）日 1991-10-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN1014570B 申請(qǐng)公布日 1991-10-30
分類號(hào) H01L21/302;H01L21/265;H01L21/24;H01L21/324 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李恩敏 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京市半導(dǎo)體器件研究所
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 北京市昌平縣沙河鎮(zhèn)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種對(duì)具有單層襯底結(jié)構(gòu)的高壓半導(dǎo)體硅管制造方法的改進(jìn)，通過背面摻雜等工藝，在襯底高阻層背面形成低阻薄層，有效地減小了接觸電阻，增加了功能，簡化了工藝，減少了加工中的碎片率，制成一種具有低阻薄層襯底結(jié)構(gòu)的新型高壓半導(dǎo)體硅管。