具有單層襯底結(jié)構(gòu)的高壓晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN88213133.8 申請日 -
公開（公告）號 CN2055292U 公開（公告）日 1990-03-28
申請公布號 CN2055292U 申請公布日 1990-03-28
分類號 H01L29/02;H01L29/76 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李思敏 申請（專利權(quán)）人 北京市半導體器件研究所
代理機構(gòu) 北京市專利事務(wù)所 代理人 王敬智
地址 北京市昌平縣沙河鎮(zhèn)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 具有單層襯底結(jié)構(gòu)的高壓晶體管，包括高壓VDMOS晶體管，高壓VVMOS晶體管，高壓JFET晶體管，高壓BJF晶體管，高壓GAT晶體管，高壓BJFET晶體管，其襯底是具有單一高阻薄層結(jié)構(gòu)的硅單晶片，屬半導體器件技術(shù)領(lǐng)域。其制作工序是采用常規(guī)工藝直接在高阻硅單晶襯底上制造高壓晶體管，然后采用晶片減薄工藝和薄片加工工藝，降低導通電阻。這種工藝的特征在于：把薄硅片同底托片粘接在一起形成復合片，對復合片進行加工。