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    浙江里陽(yáng)半導(dǎo)體有限公司

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    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(公告)號(hào) 公布日期
    1 半導(dǎo)體器件蒸鍍?nèi)毕莸臋z測(cè)方法 發(fā)明專利 CN202111131340.4 CN113871316A 2021-12-31
    2 半導(dǎo)體元件的劃片方法及劃片裝置 發(fā)明專利 CN202111117128.2 CN113838750A 2021-12-24
    3 低壓放電管芯片的制造方法 發(fā)明專利 CN202110917051.0 CN113823560A 2021-12-21
    4 半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202120951524.4 CN214588826U 2021-11-02
    5 半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202120951448.7 CN214588825U 2021-11-02
    6 半導(dǎo)體器件的制造方法 發(fā)明專利 CN202110490712.6 CN113299616A 2021-08-24
    7 半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202022561773.0 CN213212147U 2021-05-14
    8 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及器件 實(shí)用新型 CN202022573210.3 CN213026135U 2021-04-20
    9 可控硅芯片 實(shí)用新型 CN202022433222.6 CN212907748U 2021-04-06
    10 二極管器件結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202022562879.2 CN212907709U 2021-04-06

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    1 浙江里陽(yáng)半導(dǎo)體有限公司 www.liownsemi.com 浙ICP備19019845號(hào) 企業(yè) 2019-05-17
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