半導體器件蒸鍍缺陷的檢測方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111131340.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113871316A 公開（公告）日 2021-12-31
申請公布號 CN113871316A 申請公布日 2021-12-31
分類號 H01L21/66（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李曉鋒;藍浩濤 申請（專利權）人 浙江里陽半導體有限公司
代理機構 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 代理人 郭燕;彭家恩
地址 317600浙江省臺州市玉環(huán)市蘆浦鎮(zhèn)漩門工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體器件蒸鍍缺陷的檢測方法，包括對蒸鍍完成的待測芯片進行加溫，使所述待測芯片的導通阻抗增大，獲取所述待測芯片的測量導通阻抗數據，根據所述測量導通阻抗數據判斷所述待測芯片中是否存在蒸鍍缺陷。由于通過使待測芯片升溫，使得所述待測芯片內部的水氣會在高溫下呈現熱脹冷縮，并且由于瞬間高電流的原因，污染、油漬等會出現碳化，從而使得待測芯片中接觸不良的情形能夠提前顯現出來，增加了導通電阻的明顯度，這樣使得在電測時能夠檢測出電阻偏高的芯片，即這樣才能夠測量出來待測芯片的測量導通阻抗數據，通過獲取待測芯片的測量導通阻抗數據，從而能夠確認晶圓上蒸鍍的金屬是否接觸良好。