低壓放電管芯片的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110917051.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113823560A 公開（公告）日 2021-12-21
申請公布號 CN113823560A 申請公布日 2021-12-21
分類號 H01L21/329（2006.01）I;H01L29/87（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李曉鋒;張潘德 申請（專利權）人 浙江里陽半導體有限公司
代理機構 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 代理人 郭燕;彭家恩
地址 317600浙江省臺州市玉環(huán)市蘆浦鎮(zhèn)漩門工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種低壓放電管芯片的制造方法，由于在形成陽極層之前形成了陽極埋層，所述陽極埋層位于所述襯底層的部分表面，且是向所述陽極埋層區(qū)域的位置處注入深度為第一厚度的第二導電類型的雜質離子，進一步再形成陽極層、陰極層以及隔離層，由于放電管芯片是PNPN結構，形成過程中一直在不斷的進行濃度迭加，因此襯底層的摻雜濃度相對最淡，阻抗最高，本發(fā)明中在襯底內部設置陽極埋層可以使N型的襯底層中阻抗大的長度減小，也就是說減小了阻抗高的那部分的總長度，使得放電管芯片的阻抗降低，進而使其導通壓降降低，提高了低壓放電管芯片的性能。