半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120951524.4 申請日 -
公開（公告）號 CN214588826U 公開（公告）日 2021-11-02
申請公布號 CN214588826U 申請公布日 2021-11-02
分類號 H01L23/367（2006.01）I;H01L23/00（2006.01）I;H01L23/28（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李曉鋒;招景豐 申請（專利權(quán)）人 浙江里陽半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳鼎合誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭燕;彭家恩
地址 317600浙江省臺州市玉環(huán)市蘆浦鎮(zhèn)漩門工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)熱電極層以及依次在所述第一導(dǎo)熱電極層上設(shè)置的第一應(yīng)力過渡層、二極管芯片、第二應(yīng)力過渡層、第二導(dǎo)熱層以及第二電極。由于沒有將二極管芯片表面直接與第一導(dǎo)熱電極層或者第二導(dǎo)熱層直接連接，而是通過第一應(yīng)力過渡層和第二應(yīng)力過渡層連接，使得在高溫時使得第一導(dǎo)熱電極層或者第二導(dǎo)熱層所出現(xiàn)的內(nèi)應(yīng)力不直接作用在二極管芯片上，而是作用在第一應(yīng)力過渡層或第二應(yīng)力過渡層上，這樣一方面使得在制造二極管器件的燒結(jié)過程中不至于造成芯片碎裂，提高了器件制造的一致性，另一方面也可以避免在使用過程中器件的發(fā)熱所導(dǎo)致?lián)p壞芯片的情況，提高使用過程中器件的可靠性和穩(wěn)定性。