半導(dǎo)體器件的制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110490712.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113299616A | 公開（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113299616A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-24 |
| 分類號(hào) | H01L23/373;H01L23/29;H01L23/31;H01L29/861;H01L23/48;H01L23/18 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李曉鋒;招景豐 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 浙江里陽半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳鼎合誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 郭燕;彭家恩 |
| 地址 | 317600 浙江省臺(tái)州市玉環(huán)市蘆浦鎮(zhèn)漩門工業(yè)區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括提供由硅材料制成的第一應(yīng)力緩沖層和第二應(yīng)力緩沖層以及提供第一導(dǎo)熱金屬層、二極管芯片、第二導(dǎo)熱金屬層，并將第一導(dǎo)熱金屬層作為底部電極，在第一導(dǎo)熱層上依次設(shè)置第一應(yīng)力緩沖層、二極管芯片、第二應(yīng)力緩沖層以及第二導(dǎo)熱金屬層，形成初級(jí)工件，并將所形成的初級(jí)工件進(jìn)行燒結(jié)，最終形成半導(dǎo)體器件，由于在第一導(dǎo)熱金屬層與二極管芯片之間、第二導(dǎo)熱金屬層和二極管芯片之間設(shè)置的硅材料制成的第一應(yīng)力緩沖層和第二應(yīng)力緩沖層，由于通過應(yīng)力緩沖層連接散熱金屬層，并結(jié)合了燒結(jié)的方式制成半導(dǎo)體器件，使器件更加穩(wěn)定同時(shí)在燒結(jié)過程中散熱金屬層的應(yīng)力作用在應(yīng)力緩沖層上，提高了器件制造的良率和一致性。 |
