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    重慶超硅半導體有限公司

    存續(xù)
    • 地址:重慶市北碚區(qū)水土高新技術產(chǎn)業(yè)園云漢大道5號附188號
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    專利信息62

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開(公告)號 公布日期
    1 一種集成電路用硅片無損傷轉(zhuǎn)移方法 發(fā)明專利 CN202010258603.7 CN113496930A 2021-10-12
    2 一種集成電路硅片表面氧化膜自適應均勻腐蝕方法 發(fā)明專利 CN202010258262.3 CN113496891A 2021-10-12
    3 一種集成電路用硅片的均勻腐蝕方法 發(fā)明專利 CN202010258298.1 CN113496887A 2021-10-12
    4 一種集成電路用單晶硅片堿腐蝕去除量的控制方法 發(fā)明專利 CN202010258257.2 CN113496886A 2021-10-12
    5 一種外延基底用硅晶片之背面膜層及制造方法 發(fā)明專利 CN202010258596.0 CN113496871A 2021-10-12
    6 一種集成電路用硅片邊緣形貌控制方法 發(fā)明專利 CN202010258530.1 CN113496870A 2021-10-12
    7 一種外延基底用硅晶片之背面膜層及制造方法 發(fā)明專利 CN202010258297.7 CN113496869A 2021-10-12
    8 一種硅片的拋光后清洗方法 發(fā)明專利 CN202010258268.0 CN113496868A 2021-10-12
    9 硅片金屬雜質(zhì)檢測樣品保護裝置及硅片金屬雜質(zhì)檢測方法 發(fā)明專利 CN202010258528.4 CN113495095A 2021-10-12
    10 一種減少拋光片表面劃痕方法 發(fā)明專利 CN202010258285.4 CN113492399A 2021-10-12

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