一種集成電路硅片表面氧化膜自適應(yīng)均勻腐蝕方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010258262.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113496891A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN113496891A 申請(qǐng)公布日 2021-10-12
分類(lèi)號(hào) H01L21/311（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅繼薇;張俊寶;陳猛 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海超硅半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 400714重慶市北碚區(qū)兩江新區(qū)云漢大道5號(hào)附188號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種集成硅片（wafer）表面氧化膜均勻腐蝕去膜方法，應(yīng)用于集成電路硅片分析過(guò)程中硅片表面膜層的均勻腐蝕。本發(fā)明方法包含硅片吸附夾具和表面腐蝕方法。硅片吸附夾具主要由托盤(pán)、支架、真空管路和高度調(diào)整四部分組成，托盤(pán)上面有三個(gè)真空吸盤(pán)，等分分布在以托盤(pán)中心為圓心的圓周上，通過(guò)內(nèi)部管路聯(lián)通真空吸附硅片，通過(guò)高度控制器使硅片處于水平狀態(tài)。硅片表面膜層的均勻腐蝕方法為在硅片中心滴一滴腐蝕液，然后三個(gè)真空吸盤(pán)按照一定的頻率振動(dòng)，使腐蝕液滴在硅片表面勻速以螺紋漸開(kāi)線(xiàn)形式運(yùn)動(dòng)，從硅片中心一直運(yùn)動(dòng)到硅片邊緣，達(dá)到硅片表面膜層均勻去除的目的。